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DMG4822SSD
2
1.8
1.6
1.4
20
18
16
14
12
1.2
Vth (V) @ I D =250μA
Vth (V) @ I D =1mA
10
8
V SD A =25°C
1
0.8
6
4
2
(V)@T
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10000
1000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig.8 Diode Forward Voltage vs. Current
Ciss Ave(pF)
I DSS (nA) Ave @ 150°C
1000
I DSS (nA) Ave @ 125°C
Coss Ave(pF)
100
100
Crss Ave(pF)
I DSS (nA) Ave @ 85°C
10
I DSS (nA) Ave @ 25°C
f=1MHz
1
0 5 10 15 20 25 30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
0
4 8 12 16
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Junction Capacitance
20
V DS D =10A
10
=15V, I
8
6
4
2
0
0
2
4
6 8
10
12
Q G - (nC)
Fig. 11 Gate Charge
DMG4822SSD
Document number: DS35403 Rev. 2 - 2
5 of 7
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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